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J-GLOBAL ID:201802277912805419   整理番号:18A1483198

ヘテロレプチックシクロペンタジエニル-アミジナートランタン前駆体による酸化ランタンの原子層堆積 膜成長と性質に及ぼす酸素源の影響【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of lanthanum oxide with heteroleptic cyclopentadienyl-amidinate lanthanum precursor - Effect of the oxygen source on the film growth and properties
著者 (8件):
資料名:
巻: 660  ページ: 199-206  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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La_2O_3薄膜を,酸素源として水,オゾン,エタノールまたは水とオゾン(パージにより分離)のどちらかを用いて,液体ヘテロレプティックLa前駆体La(~iPrCp)_2(~iPr-AMD)から原子層堆積により堆積した。膜成長速度と結晶性や不純物などの性質に及ぼす酸素源の影響を調べた。酸素源としてO_3を用いて225°Cで成長速度の飽和を達成した。水では,非常に長いパージ時間がLa_2O_3の吸湿性のために使用されたが,成長速度の飽和は達成されなかった。興味深いことに,O_3パルスをパージで水パルス後に添加したとき,成長速度は減少し,成長は200°Cで飽和した。200~275°CでLa_2O_3の代わりにエタノール水酸化ランタンを形成したが,六方晶系La_2O_3膜は300°Cで得られたが,成長は飽和しなかった。同じ堆積における水とオゾンの分離パルスを用いると,4つの研究した堆積過程からの最良の結果が得られた。La(~iPrCp)_2(~iPrAMD)/H_2O/O_3プロセスで堆積した膜をアニーリングした後,堆積温度に関係なく全ての膜で純粋な六方晶相が示されたが,立方晶と六方晶La_2O_3の混合物が他の過程で見られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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