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J-GLOBAL ID：201802278155336314   整理番号：18A0672116

CMOS画像センサの光子遷移曲線照射後の劣化機構【JST・京大機械翻訳】

Degradation mechanism for photon transfer curve of CMOS image sensor after irradiation

著者 (5件)： Feng Jie (中国科学院新疆理化技術研究所材料物理与化学研究室,新疆烏魯木斉,830011) ,  Li Yudong (中国科学院新疆理化技術研究所材料物理与化学研究室,新疆烏魯木斉,830011) ,  Wen Lin (中国科学院新疆理化技術研究所材料物理与化学研究室,新疆烏魯木斉,830011) ,  Zhou Dong (中国科学院新疆理化技術研究所材料物理与化学研究室,新疆烏魯木斉,830011) ,  Ma Lindong (中国科学院新疆理化技術研究所材料物理与化学研究室,新疆烏魯木斉,830011)
資料名： Guangxue Jingmi Gongcheng  (Guangxue Jingmi Gongcheng)
巻： 25  号： 10  ページ： 2676-2681  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2090A  ISSN： 1004-924X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： EMVA1288による照射後の相補的金属酸化物半導体(CMOS)イメージセンサの重要な性能パラメータ(光子遷移曲線と変換利得)の適用範囲は制限されている。照射後のCMOSイメージセンサの光子遷移曲線と変換利得の改善に対する改良した試験方法を提案した。試験条件を調整することによって,照射後のCM OSイメージセンサの暗電流と暗電流不均一性ノイズを制限し,照射後の正確なデバイス性能パラメータを求め,照射によるデバイス性能の変化を直観的に知る。この方法を用いて実験を行い,結果は以下のことを示した。照射による変換利得は,照射前の7.82%による劣化よりも,7.82%により劣化した。これらの結果に基づいて、光子照射の光子転移曲線と変換ゲインの退化のメカニズムを分析し、変換利得の劣化は陽子照射による電離効果と変位効果による暗電流、暗電流の不均一性の増大によるものと考えられる。本論文では,CM OS画像センサの空間放射効果を把握するための理論的基礎を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イメージセンサ ,  不均一性 ,  暗電流 ,  イオン化 ,  陽子照射 ,  雑音 ,  *CMOS ,  *光子
準シソーラス用語： 放射効果 ,  試験方法 ,  変換利得 ,  劣化機構 ,  *CMOSイメージセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CMOS image sensor ,  irradiation ,  photon transfer curve ,  conversion gain

分類 (5件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS画像センサ ,  光子 ,  遷移 ,  曲線