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J-GLOBAL ID:201802278184580997   整理番号:18A0511855

雑音の存在下での不純物をドープした量子ドットの静的双極子分極率の調節【Powered by NICT】

Modulation of static dipole polarizability of impurity doped quantum dots in presence of noise
著者 (5件):
資料名:
巻: 742  ページ: 142-150  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Gauss白色雑音の監督下でドープしたG a As量子ドット(QD)の静的双極子分極率(SDP)のプロファイルの厳密な調査を行うことを試みた。良好な多くの物理的パラメータの範囲で変化させたとSDPプロファイルの変化を注意深く監視した。この物理的パラメータは,磁場,閉じ込めポテンシャル,ドーパント位置,ドーパントポテンシャル,雑音強度,アルミニウム濃度(L G1 As合金QDに対してのみ),位置に依存する有効質量(PDEM),位置依存誘電遮蔽関数(PDDSF),異方性,静水圧(HP)と温度からなっていた。SDPプロファイルは,雑音の存在/不在に強く依存するという興味深い特徴を明らかにし,またシステムへの侵入を(加法的/乗数的)雑音。一般的な観察として,加法性雑音は,乗法的対応物よりも雑音のない状態からSDPプロファイルのより大きな偏差を引き起こすことを見出した。研究の結果は,いくつかの制御パラメータの適切な調整により雑音が存在する場合のドープしたQDのSDPを調整する有意な範囲を反映している。雑音はいくつかの固定役割を果たしている可能性がある研究は,QDデバイスの技術応用の観点から重要性をdeems。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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半導体-金属接触  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  金属結晶の電子構造  ,  無機化合物一般及び元素 

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