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J-GLOBAL ID：201802278264923429   整理番号：18A0713905

エネルギー散逸解析によるナノテクノロジーにおける量子セルを用いたコンテンツアドレス可能メモリ構造【JST・京大機械翻訳】

A Content-Addressable Memory structure using quantum cells in nanotechnology with energy dissipation analysis

著者 (2件)： Sadoghifar Ali (Department of Computer Engineering, Tabriz Branch, Islamic Azad University, Tabriz, Iran) ,  Heikalabad Saeed Rasouli (Department of Computer Engineering, Tabriz Branch, Islamic Azad University, Tabriz, Iran)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 537  ページ： 202-206  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドットセルラオートマトンは,CMOS技術のための適切な代替となり得るナノスケールでの最近の新しい技術の一つである。QCA技術で構築された回路は,低消費電力,高速,小サイズのような望ましい特徴を持っている。これらの特徴はメモリ構造においてより明確である。本論文では,QCAにおけるコンテンツアドレス可能メモリセルのための新しい構造を設計した。この目的のために,最初に,QCAにおけるマスク動作のためにユニークなゲートを導入し,次にこのゲートをCAMの性能を改善するために使用した。これらの構造をQCADessignシミュレータで評価した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノテクノロジー ,  シミュレータ ,  *エネルギー散逸 ,  *記憶構造 ,  高速度 ,  *記憶装置 ,  記憶素子
準シソーラス用語： 低電力化 ,  ナノスケール ,  CMOS技術 ,  量子ドットセルラオートマトン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 量子ドットセルラオートマトン ,  ナノテクノロジー ,  コンテンツアドレス可能メモリ

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： エネルギー散逸 ,  解析 ,  ナノテクノロジー ,  量子 ,  セル ,  コンテンツ ,  アドレス ,  メモリ構造