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J-GLOBAL ID：201802278303464010   整理番号：18A1259224

ゾル-ゲル法で合成したCaCu_3Ti_4O_12の微細構造と誘電特性に及ぼすジルコニウムとストロンチウムの共ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of zirconium and strontium co-doping on microstructure and dielectric properties of CaCu₃Ti₄O₁₂ synthesized by the sol-gel method

著者 (5件)： Yecheng Li (Shanxi Key Laboratory of Coal Mining Equipment and Safety Control, National & Provincial Joint Engineering Laboratory of Mining Intelligent Electrical Apparatus Technology, College of Electrical and Power Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Jianhua Zhang (Shanxi Key Laboratory of Coal Mining Equipment and Safety Control, National & Provincial Joint Engineering Laboratory of Mining Intelligent Electrical Apparatus Technology, College of Electrical and Power Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Jiecheng Zheng (Shanxi Key Laboratory of Coal Mining Equipment and Safety Control, National & Provincial Joint Engineering Laboratory of Mining Intelligent Electrical Apparatus Technology, College of Electrical and Power Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Yuqian Liu (Shanxi Key Laboratory of Coal Mining Equipment and Safety Control, National & Provincial Joint Engineering Laboratory of Mining Intelligent Electrical Apparatus Technology, College of Electrical and Power Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Jiancheng Song (Shanxi Key Laboratory of Coal Mining Equipment and Safety Control, National & Provincial Joint Engineering Laboratory of Mining Intelligent Electrical Apparatus Technology, College of Electrical and Power Engineering, Taiyuan University of Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICPADM  ページ： 974-978  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Ca_1-xSr_xCu_3Ti_4-yZr_yO_12(X=0,0.1;Y=0,0.04)セラミックをゾル-ゲル法により合成した。結果は,サンプルCa_0.9Sr_0.1Cu_3Ti_3.96Zr_0.04O_12が,10~10~6Hz(ε_r>13574)の周波数範囲にわたり,室温で比較的高い誘電率を示し,また,0.026のより低い誘電損失を示すことを示した。さらに,実験データは,結晶粒サイズ,気孔率およびCCTOセラミックの結晶粒界の抵抗が,ドーピングイオンの種類によって変化し,誘電特性に影響を及ぼす主要因であることを示唆した。一方,非線形係数値は,破壊電場として改善された。著者らの結果は,Sr/Zr共ドープCCTOが,より高いε_r,より低いtanδ,およびより良い非線形特性を有するマイクロエレクトロニクスおよびメモリ素子の作製に使用される良い候補と考えられることを示している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  *ジルコニウム ,  *誘電性 ,  セラミック ,  電場 ,  *ゾル-ゲル法 ,  結晶粒径 ,  誘電損失 ,  *ドーピング ,  *ストロンチウム ,  誘電率 ,  損失正接 ,  周波数 ,  *微細構造
準シソーラス用語： *共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル法 ,  微細構造 ,  誘電特性 ,  ジルコニウム ,  ストロンチウム ,  共ドーピング