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J-GLOBAL ID：201802278466109632   整理番号：18A2107264

タリウム接触を用いた臭化タリウム半導体放射線検出器【JST・京大機械翻訳】

Thallium Bromide Semiconductor Radiation Detectors with Thallium Contacts

著者 (3件)： Datta Amlan (CapeSym Inc., Natick, MA, 01760, USA) ,  Becla Piotr (CapeSym Inc., Natick, MA, 01760, USA) ,  Motakef Shariar (CapeSym Inc., Natick, MA, 01760, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSS/MIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 臭化タリウム(TlBr)は,広いバンドギャップ,高いγ線阻止能を持つ化合物半導体,および有望な物理的性質を有する。陽極へのBr-イオンのエレクトロマイグレーションとそれらの接触との反応は,TlBrデバイスの寿命に悪影響を及ぼすことが知られている。偏光効果を最小化するTl接触を持つTlBr素子の性能を報告した。結果は,蒸発したTl接触が高度にオーム性であり,TlBrに強く付着することを示した。長期間の寿命試験を17.4μHzのデューティサイクルによる交互バイアス下で行った。PtとAuの接触を持つ素子とは異なり,Tlを持つ素子は短い項(100秒のオーダー)のゆらぎを示さない。さらに,これらのデバイスは安定な挙動を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金 ,  *半導体放射線検出器 ,  ゆらぎ ,  エレクトロマイグレーション ,  臭素 ,  バンドギャップ ,  寿命試験 ,  化合物半導体 ,  アノード ,  バイアス ,  偏光 ,  *タリウム ,  γ線 ,  白金
準シソーラス用語： デューティサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (3件)： タリウム ,  臭化タリウム ,  半導体放射線検出器