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J-GLOBAL ID：201802278593751715   整理番号：18A0265936

p型CuGa_3Te_5におけるEfros-Shklovskii型可変領域ホッピング伝導と磁気抵抗【Powered by NICT】

Efros-Shklovskii type variable range hopping conduction and magnetoresistance in p-type CuGa₃Te₅

著者 (6件)： Wasim S.M. (Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida, 5101, Venezuela) ,  Essaleh L. (Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Marin G. (Laboratorio de Estructura e Ingenieria de Materiales Nanoestructurados (LEIMN), Centro de Investigacion y Tecnologia de Materiales (CITeMa), InstitutoVenezolano de Investigaciones Cientificas (IVIC), Maracaibo, 4011, Venezuela) ,  Rincon C. (Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida, 5101, Venezuela) ,  Amhil S. (Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Galibert J. (Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-EMFL, CNRS/INSA/UGA/UPS, Toulouse & Grenoble, France)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 107  ページ： 285-292  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 穴の反発相互作用に起因するFermi準位で現れるCoulombギャップと,Efros-Shklovskii型可変領域ホッピング伝導が秩序化欠陥化合物CuGa_3Te_5における二つの異なる温度領域で観察された。このタイプ電気伝導は4Kと150Kの間の非常に広い温度範囲,元素II-VIおよびI-III-VI_2化合物半導体で以前に報告されていないで出現するため,三種類の方法を用いて,この挙動を確認するためにデータを解析した。も温度と不純物バンド正孔移動度の変化の研究から支持された。他のホッピングパラメータを推定した。二領域における種々の温度で正の磁気抵抗の対数的変化は臨界磁場B,C,低及び高磁場領域を分離する上下B~2とB~1/5として変化する。を,EfrosとShklovskiの理論と完全に一致した。T~ 3/2およびT~ 3/5として対応するスロープの温度依存性も提案したモデルと一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *磁気抵抗 ,  対数 ,  強磁場 ,  電気伝導 ,  相互作用 ,  臨界磁場 ,  化合物半導体 ,  Fermi準位 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  不純物バンド ,  温度範囲 ,  Coulombギャップ ,  *可変領域ホッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： A半導体 ,  A電子材料 ,  B半導性 ,  C.X線回折 ,  D.電気的性質 ,  D欠陥 ,  D.電子構造

分類 (2件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 可変領域ホッピング伝導 ,  磁気抵抗