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J-GLOBAL ID:201802278808269875   整理番号:18A0588524

3Dナノ磁性論理CMOSを越えたどこまで【Powered by NICT】

3D nanomagnetic logic: How far beyond CMOS?
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: S3S  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,以降のCMOS技術,いわゆる垂直ナノ磁性論理を検討した。不揮発性強磁性計算状態を持つディジタル計算を提供し,純粋に動力と磁場によるクロック。プレーナ製造プロセスにおけるモノリシック3D集積の能力と組み合わせた非揮発性は重要な特徴である。標的CMOS置換の代わりに,目的としたバックエンドオブライン技術としてコプロセッサアーキテクチャにより提供される付加的な機能性。ビット演算当たりアトジュール散逸を持つシストリック,パイプラインと大規模並列アーキテクチャを目標にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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