文献

J-GLOBAL ID：201802278903395254   整理番号：18A1676766

金属-Al:TiO_x-金属構造上の対称電極により誘起された界面非対称性【JST・京大機械翻訳】

Interface Asymmetry Induced by Symmetric Electrodes on Metal-Al:TiO $_{x}$-Metal Structures

著者 (6件)： Michalas Loukas (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.) ,  Trapatseli Maria (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.) ,  Stathopoulos Spyros (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.) ,  Cortese Simone (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.) ,  Khiat Ali (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.) ,  Prodromakis Themistoklis (Nanoelectronics and Nanotechnology Research Group, Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 867-872  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいメモリ技術は,抵抗スイッチングをサポートするために金属-絶縁体-金属トポロジーで使用できる種々の材料の研究において大きな関心を集めている。大多数の報告は,活性コア層として使用できる適切な材料の同定に焦点を合わせているが,電極の選択はこのようなメモリ素子の性能にも影響を与える。ここでは,対称金属-Al:TiO_x-金属構造の上部および下部界面の両方を,300~350Kの温度範囲におけるそれらの電流対電圧特性の解析によって研究した。広範囲の仕事関数と電気陰性度値をカバーするために,3つの異なる金属を電極,Nb,Au,およびPtとして用いた。それらの対称構造にもかかわらず,素子は印加バイアス極性に関して非対称性能を示すことが分かった。界面Schottky障壁上の熱電子放出を示す明瞭なシグネチャプロットを得た。上部と下部界面間の非対称性を,ポテンシャル障壁高さと障壁低下因子の値により,実験データから計算し,さらに評価した。この研究は,界面効果の重要性を強調し,膜ドーピング,適切な(トップ/ボトム)金属選択,および界面エンジニアリングに加えて,調整された電気特性を持つ薄膜金属酸化物ベースのデバイスの開発にも利用されるべきであることを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  *界面 ,  白金 ,  Schottky障壁 ,  バイアス ,  *非対称性 ,  *対称性 ,  ドーピング ,  位相幾何学 ,  薄膜 ,  仕事関数 ,  金属酸化物 ,  電気特性 ,  電流
準シソーラス用語： 印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  金属構造 ,  対称 ,  誘起 ,  界面 ,  非対称性