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J-GLOBAL ID：201802278925340655   整理番号：18A1028235

時間分解二光子励起顕微鏡からのCdTeヘテロ構造における再結合【JST・京大機械翻訳】

Recombination in CdTe heterostructures from time-resolved two-photon excitation microscopy

著者 (6件)： Kuciauskas Darius ,  Wernsing Keith ,  Jensen Soren A. ,  Barnes Teresa M. ,  Myers Thomas H. ,  Bartels Randy
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解光ルミネセンス顕微鏡を用いて,分子ビームエピタクシーにより作製したCdTe二重ヘテロ構造における電荷キャリア輸送と再結合を解析した。これにより,この系の電荷キャリア移動度を決定することができ,508~623cm2/(Vs)であることが分かった。15~100ns範囲の電荷キャリア寿命は界面再結合により制限され,データは拡張欠陥近傍のより大きな界面再結合速度を示した。本研究では,界面再結合速度と界面欠陥の空間分布を解析する新しい方法について述べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間分布 ,  *顕微鏡 ,  界面 ,  MBE成長 ,  *再結合 ,  *テルル化カドミウム ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 界面欠陥 ,  再結合速度 ,  拡張欠陥 ,  電荷キャリア ,  時間分解光ルミネセンス ,  *ヘテロ構造 ,  二光子顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分解 ,  二光子励起顕微鏡 ,  CdTe ,  ヘテロ構造 ,  再結合