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J-GLOBAL ID：201802279044706847   整理番号：18A0515816

非長方形虹彩内のマルチパクタしきい値の増大【Powered by NICT】

Enhancement of the Multipactor Threshold Inside Nonrectangular Iris

著者 (8件)： Semenov Vladimir E. (Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Rakova Elena I. (Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Sorolla Eden (Department of Syste`mes RF, XLIM, Limoges, France) ,  Gonzalez-Iglesias Daniel (Val Space Consortium, Valencia, Spain) ,  Monerris Oscar (Val Space Consortium, Valencia, Spain) ,  Gimeno Benito (Department of Applied Physics-ICMUV, University of Valencia, Valencia, Spain) ,  Puech Jerome (Centre National d’Etudes Spatiales, Toulouse, France) ,  Sombrin Jacques B. (Centre National d’Etudes Spatiales, Toulouse, France)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 3  ページ： 1164-1171  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチパクタ絶縁破壊は,その縦方向断面に沿った斜めスロットを有する方形導波管の容量性アイリス内部で研究した。虹彩長さと高さの両方は,電磁波長に比べて小さいと仮定した。,準静的近似は,虹彩ギャップ内のRF場分布を記述するために適用しているが,二次元モデルを用いて,電子運動を解析することである。RF磁場構造の特異性は,等角写像法を用いて研究した,虹彩の長さはその高さよりはるかに大きいとき,電場線が円弧で近似できることを示した。虹彩ギャップ内の電子運動は異なる分析方法と数値シミュレーションを用いて解析した。最も簡単な解析的考察は,曲面間のマルチパクタの一般的理論に基づいている。より洗練されたモデルの中で,虹彩内の電子運動に対するフリンジ電界効果は,電界線の円形構造を仮定して計算した。全て法の枠内で実証した虹彩ギャップ内の電子損失は傾斜角,矩形虹彩形状から逸脱してかなり増加させることである。結果として,マルチパクタはこの角度の比較的小さな値で不可能になる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  傾斜角 ,  電磁波 ,  準静的近似 ,  *絶縁破壊 ,  円弧 ,  電場 ,  方形導波管 ,  電場効果 ,  等角写像
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  特異性 ,  高周波磁場 ,  二次元モデル ,  *マルチパクタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子管,放電管  (NC02020D) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 長方形 ,  虹彩 ,  マルチパクタ ,  しきい値