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J-GLOBAL ID:201802279140345984   整理番号:18A1759841

燃焼合成により作製したTeドープCu2SnSe3の熱電特性

Thermoelectric properties of S and Te-doped Cu2SnSe3 prepared by combustion synthesis
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 13-19 (WEB ONLY)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U1450A  ISSN: 2187-0764  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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・元素粉末の燃焼合成により作製したCu2SnSe3-xSxおよびCu2SnSe3-xTex(x=0.05,0.10,0.15,0.20)の微細組織および熱電特性を評価し,SおよびTeのドーピング効果について検討。
・SおよびTeはCu2SnSe3相中に取り込まれ,ドーピング量の増加と共に格子定数は低減。
・SおよびTeのドーピングにより電気伝導率は低下,Seebeck係数は増加,熱伝導率は低下。
・Sをx=0.05ドーピングしたCu2SnSe3-xSxのZTは773Kにおいてアンドープ試料より約50%増加したが,Teをドーピングした試料のZTは電気伝導率が著しく低下したため低下。
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分類 (1件):
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熱電デバイス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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