文献

J-GLOBAL ID：201802279470480016   整理番号：18A1677152

RF応用のためのSchottky障壁型GNRFETの統計的プロセス変動解析【JST・京大機械翻訳】

Statistical Process Variation Analysis of Schottky-Barrier type GNRFET for RF Application

著者 (2件)： Joshi Shital (Department of Computer Science and Engineering, Oakland University, Michigan, USA) ,  Albalawi Umar (Department of Computer Science, University of Tabuk, Tabuk, Saudi Arabia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CTCEEC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素膜から抽出されたグラフェンは,将来のエレクトロニクス,特に高速アナログと高周波エレクトロニクスのための従来のシリコンへの潜在的な置換を可能にするいくつかの顕著な特徴を示す。本論文は,無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)応用のために,Schottky障壁型グラフェンナノリボン電界効果トランジスタ(SB-GNRFET)の設計調査に焦点を合わせた。チャネル長さ,幅および酸化物厚さのナノスケール過程変化を説明するために,統計的プロセス変動解析を,徹底的モンテカルロシミュレーションを通して選択された性能指数に対する周波数,位相雑音,電力散逸および品質因子に関して実行した。周波数と位相雑音を与えられた回路の性能指数として考慮した。最適化は,チャネル長さと幅が設計変数として考慮される間,設計制約として考慮されている位相雑音と電力消費による動作周波数を最大にするために実行される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  アナログ系 ,  チャネル ,  電子技術 ,  FET【トランジスタ】 ,  グラフェン ,  *分散分析 ,  無線LAN ,  周波数 ,  ケイ素 ,  位相雑音 ,  高速度 ,  電力消費
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  応用 ,  Schottky障壁 ,  統計 ,  プロセス ,  変動解析