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J-GLOBAL ID:201802279471311385   整理番号:18A0190772

最高スループットMOCVDプラットフォームを用いて成長させたGaNベースLEDの研究 AMEC Prismo A7~TM【Powered by NICT】

Study of the GaN based LEDs grown with highest throughput MOCVD platform - AMEC Prismo A7TM
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: SSLChina: IFWS  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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は固体照明の市場浸透と同様にパワーデバイス応用の次世代のためのIII族窒化物デバイスのコストを削減する絶え間の無い努力が続いている。高スループットMOCVDプラットフォームを用いた種々の光発光ダイオード(LED)生成物の所有権(CoO)のコストを減少させるための重要な要因の一つである。最高のスループットMOCVDプラットフォーム,AMEC Prismo A7~TM高品質GaN系単層材料とLEDを用いた4」パターン化したサファイヤ基板(PSS)を低いCoOにLED製造業者のための主要な方法である。ここでは,4上のLED成長について報告する」PSS上に成長させたGaNベースLEDは,PVD AlN正常4」PSSとPSS物理蒸着(PVD)により作製したAlN緩衝液で1.5%以下の優れた厚さ均一性と1.5nm以下(2mmの1σ端排除)の波長均一性は4緑色及び青色LEDを達成した」PSS,PSS上に成長させた。さらに,6」PSS上のLED成長のための最初の結果も本論文で報告した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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