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J-GLOBAL ID：201802279543840999   整理番号：18A1211125

双方向パワーMOSFETのロバスト性を高めるためのカソード短構造【JST・京大機械翻訳】

Cathode short structure to enhance the robustness of bidirectional power MOSFETs

著者 (7件)： Saxena Tanuj (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Khemka Vishnu (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Zitouni Moaniss (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Gupta Raghu (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Qin Ganming (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Dupuy Philippe (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA) ,  Gibson Mark (NXP Semiconductors Inc., 1300 N Alma School Rd, Chandler, AZ, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 479-482  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 双方向パワーMOSFETは,ドレインとソースの間の極性の電圧をブロックすることができる。これにより,それらは従来のパワーMOSFETに比べて明確なコスト利点を提供するので,多くの応用に魅力的である。しかしながら,双方向電力MOSFETは,寄生バイポーラがソースから別々にルーティングされるとき,寄生バイポーラがトリガしやすいので,貧弱なロバスト性を被る。本論文では,ベース-エミッタ接合の注入効率を劣化させることにより,寄生バイポーラ利得を低減し,その結果,双方向パワーMOSFETのロバスト性を改善することにより,カソード短絡の概念を提案し,実証した。寄生バイポーラ利得は3倍以上減少し,電流スイッチング能力は約4倍に向上することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *カソード ,  電圧 ,  経路選定 ,  接合 ,  利得 ,  *ロバスト性 ,  極性
準シソーラス用語： バイポーラ ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 双方向 ,  パワーMOSFET ,  ロバスト性 ,  カソード