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J-GLOBAL ID：201802279589218586   整理番号：18A0491856

ゾル-ゲル成長したアルミニウム/ガリウムを同時ドープしたZnOナノ構造:水素ガスセンシング特性【Powered by NICT】

Sol-gel grown aluminum/gallium co-doped ZnO nanostructures: Hydrogen gas sensing attributes

著者 (6件)： Al-Asedy Hayder J. (Universiti Teknologi Malaysia, Laser Center, Ibnu Sina Institute for Scientific and Industrial Research, Johor Bahru, Johor 81310, Malaysia) ,  Al-Asedy Hayder J. (Universiti Teknologi Malaysia, Department of Physics, Faculty of Science, Johor Bahru, Johor 81310, Malaysia) ,  Al-Asedy Hayder J. (University of Al-Qadisiyah, Faculty of Education, Physics Department, Diwaniyah, Iraq) ,  Bidin Noriah (Universiti Teknologi Malaysia, Laser Center, Ibnu Sina Institute for Scientific and Industrial Research, Johor Bahru, Johor 81310, Malaysia) ,  Al-khafaji Shuruq A. (University of Al-Qadisiyah, Faculty of Engineering, Roads and Transports Department, Diwaniyah, Iraq) ,  Bakhtiar Hazri (Universiti Teknologi Malaysia, Laser Center, Ibnu Sina Institute for Scientific and Industrial Research, Johor Bahru, Johor 81310, Malaysia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 77  ページ： 50-57  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)コドープZnOナノ構造(AGZO NSs)をゾル-ゲル一体スピンコーティング法を用いてp型Si(100)基板上に作製した。Ga含有量を固定したAlドーピング(1at%)で1から5at%まで変化させた。合成された試料は500°Cで3時間アニールした。最適試料(Gaの3at%を含む)の構造的,形態的,および電気的性質を測定した。ナノロッド(NR)アレイの最高密度を最適AGZO NSsは水素ガス(H_2)センサを作製するために選択した。成長させたままのAGZO NSsは平均粒径の六方晶ウルツ鉱型構造≒41.20nmと抵抗率約0.6475×10~ 2Ωcmを明らかにした。開発したセンサのガスセンシング特性は,種々のガスH_2含有量(250~1750ppm)下の二種類の温度(100及び150°C)で評価した。H_2,COとCH_4のような三種類の異なるガスのAGZO NSの選択性を検討した。100°Cでセンサの感度は250~1750ppmのH_2ガス含有量の増加と共に60%から385%に急激に増加した。この増強は水素ガス流(I_H)の増加及び空気雰囲気の良好な安定性に起因した。合成したAGZO NSsはガスセンサ,光起電力特性と電界放出応用のための高い可能性を持つ。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電界放出 ,  六方晶系 ,  *ゲル ,  ナノロッド ,  *ガリウム ,  センサ ,  電気的性質 ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  光起電力 ,  ガスセンサ ,  *アルミニウム ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： ウルツ鉱型構造 ,  *ゾルゲル成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Nanostructures ,  共ドーピング ,  ゾル-ゲル ,  Resistivity ,  水素ガスセンサ

分類 (4件)： ダイオード  (NC03050R) ,  計測機器一般  (AD02000X) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル成長 ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  水素ガス ,  センシング