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J-GLOBAL ID：201802279733744251   整理番号：18A0231750

単結晶シリコンの破壊靭性値評価におけるき裂導入面の表面除去量に関する検討

著者 (5件)： 飯田和樹 (Kogakuin Univ. Graduate School, Tokyo, JPN) ,  富永崇史 (Kogakuin Univ. Graduate School, Tokyo, JPN) ,  須藤聡 (Kogakuin Univ. Graduate School, Tokyo, JPN) ,  宮坂正義 (Kogakuin Univ. Graduate School, Tokyo, JPN) ,  立野昌義 (Kogakuin Univ.)
資料名： 日本機械学会関東支部・精密工学会・茨城大学工学部茨城講演会講演論文集(CD-ROM)
巻： 25th  ページ： ROMBUNNO.209  発行年： 2017年08月29日 
JST資料番号： X0829B  ISSN： 2424-2683  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： セラミックスやガラスなどを対象とした破壊靭性評価結果から圧子を用いてき裂を導入する際,き裂周辺に残留応力が生じることが明らかにされている。本研究では単結晶シリコンウエハのへき開面{110}の破壊靭性値をCSF法を用いて評価を行う。なおCSF法よりき裂導入面に対してイオンシャワーを用いた表面除去を施した試験片を対象として,破壊靭性に及ぼす表面除去量の影響を明らかにすることを試みた。これらの結果を圧子圧入法(IF法)より得られたK_Cと比較し,CSF法より得られた破壊靭性値K_ICを評価する上で適切な表面除去量に関する考察を試みた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *破壊靱性 ,  *亀裂 ,  *表面処理 ,  *数値 ,  *イオン照射 ,  *圧子 ,  *押込
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  *除去量 ,  圧入

分類 (1件)： セラミック材料  (HC04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶シリコン ,  破壊靭性値 ,  評価 ,  き裂 ,  除去量