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J-GLOBAL ID：201802279842718887   整理番号：18A0434944

原子置換と新しい二次元Dirac構造Si_3Cによるシリセンの電子構造工学【Powered by NICT】

Electronic structure engineering in silicene via atom substitution and a new two-dimensional Dirac structure Si₃C

著者 (4件)： Yin Na (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Dai Ying (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Wei Wei (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Huang Baibiao (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 98  ページ： 39-44  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元シリセンのバンドギャップの開き,グラフェンのシリコンバージョンに向けてなされてきた多くの努力。本研究では,単一原子ドープ(B,N,AlおよびP)した薄膜や共ドーピング(B/NとAl/P)シリセン単分子層の電子構造を,密度汎関数電子計算を基に系統的に調べた。著者らの結果は,単一原子ドーピングはシリセンの電子または正孔ドーピングを実現できることを示した,syergistic効果のために,共ドーピングは電子特性をあまり劣化させずに,Dirac点でのシリセンにおける有限バンドギャップが得られた。添加では,バンドギャップの特性はドーピング濃度への依存性を示した。重要なことに,著者らは新しい二次元Dirac構造,グラフェン様Si_3C,Fermi準位周りの線形バンド分散関係を示しを予測した。著者らの結果は,シリセンの電子的および光学的性質を設計するための重要な視点を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  バンドギャップ ,  単分子層 ,  *二次元 ,  ドーピング ,  *電子構造 ,  計算 ,  グラフェン ,  アルミニウム ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： バンド分散 ,  Dirac点 ,  共ドーピング ,  単一原子 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子 ,  置換 ,  シリセン ,  電子 ,  構造工学