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J-GLOBAL ID：201802279964429030   整理番号：18A1379904

アニソタイプおよびアイソタイプヘテロ接合フォトダイオードの性能向上に対する圧電-光トロニック効果【JST・京大機械翻訳】

Piezo-Phototronic Effect on Performance Enhancement of Anisotype and Isotype Heterojunction Photodiodes

著者 (4件)： Pan Zijian (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Peng Wenbo (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Li Fangpei (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  He Yongning (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 29  ページ： e1706897  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子デバイスの性能を最適化する有望な方法論として圧電-光電子効果を確認した。しかし,正の効果だけでなく,負の効果も,圧電-光電子効果によりいくつかの型のフォトダイオード(PD)において生成される可能性があり,PDの光応答性能増強の制限をもたらす。最大の可能な光応答性能増強を得るために,圧電-光電子効果が異なる素子構成と構造を持つPDの光応答性能にどのように影響するかを調べることが必須である。ここでは,アニソタイプ(p-Si/n-ZnO)とアイソタイプ(n-Si/n-ZnO)ヘテロ接合PDの光応答性能増強に及ぼす圧電光電子効果を徹底的に調べた。実験結果は,p-Si/n-ZnOヘテロ接合PDの圧電-光電子効果誘起改善がn-Si/n-ZnOヘテロ接合PDのそれよりもはるかに大きいことを示した。圧縮歪下でのエネルギーバンドダイアグラムを注意深く解析し,p-Si/n-ZnOヘテロ接合PDに二つの正の効果が導入され,一方一つの正と二つの負の効果が圧電-光電子効果によりn-Si/n-ZnOヘテロ接合PDに導入されることを明らかにした。本研究では,異なる素子構成と構造を持つPDの光応答性能に及ぼす圧電光電子効果についての深い理解を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  酸化亜鉛 ,  *ヘテロ接合 ,  *圧電気 ,  *フォトダイオード ,  *接合 ,  光電子 ,  電子効果
準シソーラス用語： ダイアグラム ,  エネルギー帯 ,  圧縮歪 ,  光応答 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アニソタイプ ,  ヘテロ接合 ,  アイソタイプ ,  フォトダイオード ,  ピエゾ-フォトトロニック効果

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： アイソタイプヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  性能向上 ,  圧電