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J-GLOBAL ID:201802279971539792   整理番号:18A0021070

超伝導ドープしたトポロジカル絶縁体Nb_0 25Bi_2Se_3における静水圧下でのT_cの増加【Powered by NICT】

An increase in Tc under hydrostatic pressure in the superconducting doped topological insulator Nb0.25Bi2Se3
著者 (9件):
資料名:
巻: 543  ページ: 58-61  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0580A  ISSN: 0921-4534  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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は0.6GPaまでの圧力におけるdc SQUID磁気測定によるドープしたトポロジカル絶縁体Nb_0 0.25Bi_2Se_3における超伝導転移温度の正の静水圧誘導体を報告した。T_cの滑らかな抑制が観測されたこの結果は同族体Cu_Bi_2Se_3とSr_Bi_2Se_3に関する報告に反している。この差は多重バンドから成る電子構造に起因する可能性があるドープされた超伝導Bi_2Se_3ファミリーの他の材料は単一バンドであると信じられている。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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