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J-GLOBAL ID：201802279993371029   整理番号：18A0281761

HIRFLでの25MeV/uの~86Krイオンマイクロビームを用いたデバイス構造の解析のためのSEUイメージングの応用【Powered by NICT】

Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25MeV/u ⁸⁶Kr ion microbeam at HIRFL

著者 (16件)： Liu Tianqi (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Liu Tianqi (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Liu Tianqi (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yang Zhenlei (Technology and Engineering Center for Space Utilization, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100094, China) ,  Guo Jinlong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Du Guanghua (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Tong Teng (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Xiaohui (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Su Hong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Liu Wenjing (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Liu Jiande (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Wang Bin (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Wang Bin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Ye Bing (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Ye Bing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Liu Jie (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 404  ページ： 254-258  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュベースフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)デバイスにおけるシングルイベントアップセット(SEU)の重イオンイメージングを,蘭州重イオン研究施設(HIRFL)で初めて行った。アップセットが発生した1回試験デバイス(DUT)において分離した入力と出力配置をもつ三シフトレジスタを,対応する論理面積を迅速に同定するために使用した。SEU画像におけるレジスタを区別するためにDUTにおける論理ユニットは部分的に構成した。以上の設定に基づいて,DUTにおけるシフトレジスタ鎖の部分構造は,空気中で25MeV/uのエネルギーを持つ~86Krイオンのマイクロビームを用いて画像化した。結果は,DUTにおけるレジスタの物理的分布は走査面積の論理構成とSEU画像を比較することにより,その論理配列を持つ高い一貫性を持つことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査 ,  SEU【シングルイベント】 ,  FPGA ,  画像 ,  レジスタ ,  シフトレジスタ ,  重イオン ,  *画像処理 ,  *素子構造
準シソーラス用語： 画像化 ,  *マイクロビーム ,  イオンイメージング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 重イオンマイクロビーム ,  高エネルギー ,  単一イベントアップセット ,  FPGA ,  イメージング

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンマイクロビーム ,  デバイス構造 ,  解析 ,  SEU ,  イメージング ,  応用