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J-GLOBAL ID:201802279994680845   整理番号:18A1028245

多結晶CdTeのりんドーピング【JST・京大機械翻訳】

Phosphorus doping of polycrystalline CdTe
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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元素蒸着により堆積した多結晶CdTe膜のリン(P)ドーピングを調べた。構造と形態をXRDとSEMを用いて研究した。XRD研究は,六方晶系CdTeの存在と共に高度に配向したCdTe膜を示した。SEM画像は,膜の粒径が2~5μmの範囲で変化することを明らかにした。Pで達成されたドーピングレベルを測定するために太陽電池と接合を作製し,ドーパント濃度に対するSIMSと少数キャリア寿命に対するTRPLを用いて輸送特性とドーピング効率を評価した。これらの知見は会議で提示される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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