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J-GLOBAL ID：201802280044721809   整理番号：18A0910825

ホウ素系酸化剤を用いた大面積遷移金属ジカルコゲナイド単分子膜への化学的ホールドーピング

Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant

著者 (12件)： MATSUOKA Hirofumi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KANAHASHI Kaito (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TANAKA Naoki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHOJI Yoshiaki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  LI Lain-Jong (KAUST, Thuwal, SAU) ,  PU Jiang (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  PU Jiang (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ITO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHTA Hiromichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUSHIMA Takanori (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2S2  ページ： 02CB15.1-02CB15.4  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ホウ素化合物 ,  *酸化剤 ,  面積 ,  *カルコゲン化物 ,  *ドーピング ,  化学プロセス ,  化学蒸着 ,  *シート抵抗 ,  セレン化物 ,  セレン化タングステン ,  大面積 ,  *単分子膜 ,  *正孔ドーピング ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド
準シソーラス用語： *ホールドーピング ,  *遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ホウ素 ,  酸化剤 ,  大面積 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子膜 ,  化学 ,  ホールドーピング