文献

J-GLOBAL ID：201802280154415370   整理番号：18A0438459

グラフェンスタネングラフェンヘテロ接合のトポロジカルに保護されたハイブリッド状態【Powered by NICT】

Topologically protected hybrid states in graphene-stanene-graphene heterojunctions

著者 (3件)： Mondal Chiranjit (Discipline of Metallurgy Engineering and Materials Science, Indian Institute of Technology Indore, Simrol, Indore 453552, India. [e-mail]) ,  Kumar Sourabh ,  Pathak Biswarup
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 8  ページ： 1920-1925  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ギャップレス導電性境界状態が時間反転不変トポロジカル絶縁体(TI)の顕著な特徴,それらの基本的な重要性と実用的な応用のために多くの関心を集めているの一つである。固体界面でのロバストな非自明なエッジチャネルの達成機能的接合に基づく最新の電子デバイスに向けた重要なステップである。ここでは,van der Waalsヘテロ構造に基づくグラフェンスタネングラフェン(C Sn C)量子壁(QW),グラフェンスタネン界面でのトポロジー的に保護されたハイブリッド状態を示すを報告した。反転バンド秩序化と金属エッジ状態は0.15eVの自明でないバンドギャップを持つ非自明なバンドトポロジー,スタネンのそれよりかなり高いを確認した。QWにおけるハイブリッド状態は,グラフェンにおけるトポロジー的保護を提供することを見出した。グラフェンの高いキャリア移動度とスタネンのQSH状態はC-Sn-Cシステム,新しいスピン系電子デバイスへの道を開くことができたが共存する可能性がある。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導電性 ,  バンドギャップ ,  *接合 ,  *ヘテロ接合 ,  ロバスト性 ,  位相幾何学 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  スピン系 ,  界面 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *スタネン ,  エッジ状態 ,  電子素子 ,  時間反転 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)