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J-GLOBAL ID：201802280162704079   整理番号：18A1944730

精密Laドーピング,パイロクロア相および鉛損失を最小化することによるPLZTセラミックの強誘電性強化【JST・京大機械翻訳】

Enhanced ferroelectricity in PLZT ceramic by precise La-doping, minimizing pyrochlore phase and lead loss

著者 (4件)： Samanta Shibnath (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India) ,  Sankaranarayanan V. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India) ,  Sethupathi K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India) ,  Ramachandra Rao M.S. (Nano Functional Materials Technology Centre and Materials Science Research Centre, Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 157  ページ： 514-523  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LaドープPbZr_0.52Ti_0.48O_3[PZT]におけるLa=0~4%の構造と強誘電性を比較研究した。正方晶性の増加により,2%LaドープPZTは最高の分極を示した。改質ゾル-ゲル合成によって調製されたパイロクロアフリー2%LaドープPbZr_0.52Ti_0.48O_3を焼結するために,改良された低コストではあるが,二重大気層被覆焼結(DALPS)の非常に有望な方法を開発した。DALPS法は残留分極を29%,誘電定数を23%高め,誘電損失正接を約50%減少させた。鉛損失の防止におけるDALPSの有効性をEDS分析により確認した。改良ゾル-ゲル合成とDALPSの採用の結果として,ほぼ理想的ヒステリシスループを有する49.25μCcm-2の高い残留分極値を,バルクPb_0.97La_0.02Zr_0.52Ti_0.48O_3において観察した。P-Eループの正方形係数は理想値の99.7%である。正のUp Negative Down(PUND)測定は,分極を伴う増強された残滓を示す:+dP_rと-dP_rの値は,それぞれ112と117μCcm-2である。誘電損失も十分低く,室温でtanδの値は1kHzで1369の誘電率をもつ0.016であった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲル ,  *鉛 ,  焼結 ,  損失正接 ,  *ジルコニウム酸チタン酸ランタン鉛 ,  *強誘電性 ,  誘電損失 ,  分極 ,  正方晶系 ,  残留分極 ,  *セラミック ,  *ドーピング ,  誘電率
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  *パイロクロア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 強誘電体 ,  誘電応答 ,  Pund ,  ゾル-ゲル法 ,  大気焼結 ,  残留分極 ,  鉛損失

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： La ,  ドーピング ,  パイロクロア ,  鉛 ,  損失 ,  最小化 ,  PLZT ,  セラミック ,  強誘電性 ,  強化