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J-GLOBAL ID:201802280201113196   整理番号:18A0431445

室温における高速NO_2センシング応答特性のためのSnO SnO_2によるp-Nヘテロ構造センサ【Powered by NICT】

p-N heterostructural sensor with SnO-SnO2 for fast NO2 sensing response properties at room temperature
著者 (7件):
資料名:
巻: 258  ページ: 517-526  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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p-nヘテロ構造材料は界面での材料欠陥部位の増加による光ルミネセンス,エレクトロクロミック素子,光触媒とガスセンサに使用されている。本報告では,簡単な水熱戦略とアニーリング条件(500 °C)によるSnO SnO_2p-N(E gp<E Gn)ヘテロ構造を得ることに成功した。合成したままの試料で類似した正方形p型SnO結晶のエッジ上に分散したナノシートn型SnO_2結晶の形態を示した。p-Nヘテロ構造センサは安定で,再現可能な応答パターンによる高速応答時間,相対検出選択性,高感度,低いLOD(検出限界)(0.1 ppm)における室温でのNO_2センシングのための優れた性能を示した。優れたセンシング特性は,ヘテロ接合価電子帯オフセット(ΔE_V=3.31eV)は狭い,ユニークな構造,固有‘O’空孔伝導帯最小に近い欠陥状態を起こしていることを三つの側面に起因すると考えられる。さらに,新しいSnO SnO_2p-Nヘテロ構造のもっともらしい形成成長とガス検知機構を議論し,ガスセンサに用いるためのかなりの余裕を提供している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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