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J-GLOBAL ID：201802280223413491   整理番号：18A0930317

4元In_0.04Al_0.65Ga_0.31N/GaN HEMTにおける事前メタライゼーション焼なましプロセスによるOhm接触の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Ohmic Contact by Pre-Metallization Annealing Process in Quaternary In_0.04Al_0.65Ga_0.31N/GaN HEMTs

著者 (5件)： Mun Ha Jin (School of Electrical Engineering and Computer Science Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Hwang Ji Hyun (School of Electrical Engineering and Computer Science Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Kwon Young-Ki (School of Electrical Engineering and Computer Science Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Hong Sung-Min (School of Electrical Engineering and Computer Science Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Jang Jae-Hyung (School of Electrical Engineering and Computer Science Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 8  ページ： e1700430  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四元InAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるメサ分離後の予備メタライゼーションアニーリング過程によるオーム接触の性能改善について報告した。プレメタライゼーションアニーリングを採用することにより,接触と比接触抵抗は,それぞれ0.31Ωmmと3.67×10~6Ωcm~2から0.21Ωmmと1.63×10~6Ωcm2に改善された。角度分解X線光電子分光法(AR-XPS)により,窒素の還元原子比からの窒素空格子点の形成と,In_3d_5/2,Al_2p_1/2,およびGa_2p_3/2の結合エネルギーシフトを,プレメタライゼーションアニーリング後の高エネルギーに向けて確認した。n型ドーパントとして作用する窒素空格子点は,効果的なSchottky障壁を薄くし,接触抵抗を改善する。200nm長のゲートHEMTを作製するために,プレメタライゼーションアニーリングプロセスを用いると,オン抵抗と最大相互コンダクタンスは,それぞれ1.7Ωmmと400mSmm-1から1.0Ωmmと618mSmm-1に改善された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーパント ,  Schottky障壁 ,  窒素 ,  接触抵抗 ,  *焼なまし ,  結合エネルギー ,  オン抵抗 ,  *メタライゼーション ,  相互コンダクタンス ,  X線光電子分光法 ,  *HEMT ,  *Ohm接触
準シソーラス用語： 窒素空格子点 ,  原子比 ,  比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高電子移動度トランジスタ ,  InAlGaN ,  Ohm接触 ,  熱アニーリング

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  メタライゼーション ,  焼なまし ,  プロセス ,  Ohm接触