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J-GLOBAL ID：201802280237420902   整理番号：18A0434445

サファイア上のSiGeの格子整列機構【Powered by NICT】

Lattice-alignment mechanism of SiGe on Sapphire

著者 (3件)： Kim Hyun Jung (National Institute of Aerospace (NIA), 100 Exploration Way, Hampton, VA, USA) ,  Duzik Adam (National Institute of Aerospace (NIA), 100 Exploration Way, Hampton, VA, USA) ,  Choi Sang H. (National Aeronautics and Space Administration, NASA Langley Research Center, Hampton, VA 23681, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 145  ページ： 1-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板(Al_2O_3)上に作製したシリコンゲルマニウム(SiGe)のヘテロエピタクシーは成長条件に周到な注意が必要である。以前の研究は,890°Cの基板温度を用いた双晶欠陥のない三方晶サファイア(0001)基板上のSiGe(111)膜を成長させた。成長条件は単結晶膜の形成に有効であるが,サファイアの界面でのSiGeの形成がどのように原子配列の順序で定義された実験的になかった。ヘテロエピタクシー機構のSiGe/Al_2O_3界面結合を示すためにSiGe/Al_2O_3界面の高分解能透過型電子顕微鏡(TEM)画像を提示した。SiGeの最初の二層はAl_2O_3基板の表面酸素格子を持つこのマッチとしてSiリッチ。Ge組成が増加する後,単層間隔も増加した立方晶結晶構造を維持していた。これらの結果は,サファイア基板の清浄度,SiGe成長のためのAl_2O_3終端,とヘテロエピタクシーのためのSiGeの立方晶構造変形の重要性を強調する。SiGe/Al_2O_3界面と成長機構の本質的な理解から,低温SiGeヘテロエピタクシーとIII-VあるいはII-VI半導体エピタクシーの両方が可能である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 立方晶系 ,  結晶構造 ,  界面 ,  ヘテロエピタクシー ,  基板温度 ,  酸素 ,  半導体 ,  エピタクシー ,  画像 ,  アルミニウム ,  *ゲルマニウム ,  *サファイア ,  低温
準シソーラス用語： HRTEM ,  サファイア基板 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 格子整列機構 ,  Heteroepitaxy ,  シリコンゲルマニウム(SiGe) ,  サファイア ,  高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM) ,  インタフェイス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア ,  SiGe ,  格子 ,  整列