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J-GLOBAL ID：201802280356367746   整理番号：18A0532054

吸収層のドーピング濃度が異なるIn_0 83Ga_0 17として光検出器【Powered by NICT】

In_0.83Ga_0.17As photodetectors with different doping concentrations in the absorption layers

著者 (12件)： Chen X.Y. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Gu Y. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Y.G. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Ma Y.J. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Du B. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Du B. (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Shi H.Y. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Shi H.Y. (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Ji W.Y. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Ji W.Y. (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhu Y. (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zhu Y. (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 89  ページ： 381-386  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 8×10~15または4×10~16cm~ 3ドープした吸収層を持つ波長拡張In_0 0.83Ga_0 17としてPIN光検出器の性能を種々の温度とバイアス電圧で調べ,比較した。結果はそれらは約室温と低バイアス電圧匹敵するデバイス性能が,より低い温度とより高いバイアス電圧で比較的大きな違いを示したことを示した。低い運転温度では8×10~15cm~ 3をドープした吸収層を持つIn_0 0.83Ga_0 17として光検出器は4×10~16cm~ 3ドープした吸収層を持つものより小さい暗電流と高い抵抗面積積R0Aを示した。低ドープIn_0 0.83Ga_0 17として吸収層をもつ光検出器における減少したトラップ支援トンネリング暗電流に起因した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *光検出器 ,  暗電流 ,  トンネル効果 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 運転温度 ,  バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAs ,  波長拡張 ,  光検出器 ,  暗電流

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 吸収層 ,  ドーピング ,  光検出器