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J-GLOBAL ID：201802280372405709   整理番号：18A0512232

第一原理からのバナジウム酸化物の電子的および光学的性質【Powered by NICT】

Electronic and optical properties of vanadium oxides from first principles

著者 (6件)： Szymanski N.J. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Liu Z.T.Y. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Alderson T. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Podraza N.J. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Sarin P. (School of Materials Science and Engineering, Oklahoma State University, Tulsa, OK 74106, USA) ,  Khare S.V. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 146  ページ： 310-318  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて得られた,高低温相の両方を含む,酸化バナジウム(VO_2,V_2O_5,V_2O_3,V_3O_5,V_4O_7,V_6O_13)の系に属する六種の化合物の構造的,エネルギー的,電子的,および光学的性質を調べた。各化合物の最適化構造は強い八面体歪みを示すことが分かった。これは,電子構造に大きな影響を及ぼす,t_2gとe_g軌道の強い混合を引き起こした。状態の電子密度はハイブリッドHSE06汎関数およびGGA+U法を用いて計算した。結果は,HSE06汎関数は,入手可能な実験データと一致するバンドギャップ値を提供することを示した。V_2O_5の高温相では,2.32eVのバンドギャップを予測した。電荷移動は,すべての化合物のためのV-O比の関数として単調に減少することを示した。ハイブリッド汎関数およびGGA+U法で計算した複素誘電関数を報告した。ハイブリッド汎関数は,吸収ピークが起こるエネルギーを過大評価する,システム内の強い電子-正孔相互作用と格子分極を示した。計算された光学的伝導率,GGA+U法が光学的性質から導いた,利用可能な実験データと定量的に良く一致した。開発された理論的フレームワークは,他のバナジウム酸化物相と同様の遷移金属酸化物に適用可能である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子密度 ,  電子構造 ,  *光学的性質 ,  バンドギャップ ,  正孔 ,  八面体 ,  *第一原理 ,  計算 ,  汎関数 ,  電荷移動 ,  密度汎関数法 ,  *酸化バナジウム
準シソーラス用語： 遷移金属酸化物 ,  ハイブリッド汎関数 ,  GGA+U ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理 ,  バナジウム酸化物 ,  電子 ,  光学的性質