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J-GLOBAL ID：201802280650649447   整理番号：18A0078419

単独GaN IGBTのシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of solo GaN IGBTs

著者 (2件)： Faramehr S. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University, Bay Campus, Swansea SA1 8EN, United Kingdom) ,  Igic P. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University, Bay Campus, Swansea SA1 8EN, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIEL  ページ： 75-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V_BD=600VとV_BD=700Vの絶縁破壊電圧を供給するt=12μmおよび17μmの異なるドリフト層の厚さを用いた突抜け現象をおこす窒化ガリウム(GaN)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のシミュレーションを報告した。模擬装置である+3.5Vのしきい値電圧をもつエンハンスメントモード提案した素子の漏れ電流は10~ 9Aの範囲であった。GaNを用いて,与えられたepithickness用IGBTのブロッキング能力の顕著な改善が観測された。GaN IGBTはSilvacoアトラスツールボックスによりシミュレーションし,解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ブロッキング ,  漏れ電流 ,  ドリフト ,  シミュレータ ,  *IGBT ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  IGBT ,  シミュレーション