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J-GLOBAL ID:201802280679362452   整理番号:18A2107476

マイクロチャネルプレート上に堆積した不透明光電陰極の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of Opaque Photocathodes Deposited onto Microchannel Plates
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: NSS/MIC  ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子層堆積(ALD)技術は,マイクロチャネルプレート(MCP)イメージング電子乗算器を製造するために使用されている。MCP基板はホウケイ酸マイクロ毛細管アレイで,従来の鉛ガラスMCPよりもロバストであり,高い開放面積比(最大85%)で大きなフォーマット(400cm~2)で製造できる。ALDを用いた抵抗性および二次発光層の応用は,利得および抵抗のようなパラメータのカスタムナノ作製および最適化を可能にする。裸のALD MCPsのUV量子効率を従来のMCPsを超え,不透明なアルカリハライド光カソード層の応用を調べた。ALD MCPsのロバストな性質は,近UV(約200~300nm)の高いQEsをもつUV光陰極に対して,ガリウム窒化物(GaN)のようなIII-V材料の高温堆積に必要な処理温度にも耐えることができる。ここでは,裸のALD MCPのQEの状態とALD MCPs上への不透明な光電陰極堆積努力の結果について議論する。不透明なビアルカリ堆積の初期試験を成功裏に完了し,最高効率半透明陰極と整合する検出効率を示した。堆積パラメータを最適化するために,GaNをサファイア基板上に分子線エピタクシーにより成長させた。これらの結果はALD MCPs上へのGaNの直接微細化の診断として使用されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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