発光機構の理解に向けたテクスチャと研磨シリコン基板との発光キャパシタの比較【JST・京大機械翻訳】

Alarcon-Salazar J.; Vasquez-Agustin M.A.; Quiroga-Gonzalez E.; Zaldivar-Huerta I.E.; Aceves-Mijares M.

文献

J-GLOBAL ID：201802280853179026 整理番号：18A1428591

発光機構の理解に向けたテクスチャと研磨シリコン基板との発光キャパシタの比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of light emitting capacitors with textured and polished silicon substrates towards the understanding of the emission mechanisms

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資料名：
巻： 203 ページ： 646-654 発行年： 2018年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

著者らは,テクスチャ化および研磨したシリコン表面を用いて,光発光キャパシタ(LEC)の光学的および電気的特性を実験的に比較した。本研究の目的は,非化学量論的酸化ケイ素(SiO_x)で作製したLECの電気光学特性におけるシリコン基板の表面の粗面化の影響を調べることに焦点を合わせた。イオン源としてArとSF_6を用いた反応性イオンエッチングにより,組織化表面を作製した。それは4.0±0.2nmの平均粗さを示し,スパイク密度は3.7±1.8×10~10cm-2であった。SiO_xは研磨した基板と組織化した基板上に低圧化学蒸着により堆積した。テクスチャ基板を用いたLECのターンオン電界は8.5MV/cmから7.0MV/cmに減少し,研磨基板を持つLECと比較して電力変換は4.1倍改善された。さらに,組織化基板上に作製したLECにおいて,電流値は低電圧で増加し,一旦高電流領域に達すると,この値は一定のままである。次に,シリコン基板上のスパイクは,低電場でのSiO_xへのキャリア注入を改善し,SiO_x中の電子のより多くのトラッピングを引き起こし,高電場でのエレクトロルミネセンス応答を増強した。増強された電子放出機構の説明を与えた。また,異なる技術特性を持つLECとの比較を可能にする性能指数を提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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無機化合物のルミネセンス , 酸化物薄膜

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