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J-GLOBAL ID：201802281005800564   整理番号：18A1045814

Raman分光法によるSiCパワーデバイスにおける熱サイクル応力の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of thermal cycle stress in SiC power devices by Raman spectroscopy

著者 (2件)： Uchida Tomoyuki (Toray Research Center Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Sugie Ryuichi (Toray Research Center Inc., Otsu, Shiga, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEP-IAAC  ページ： 579-582  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Raman分光法により炭化けい素金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(SiC MOSFET)の熱応力を調べた。SiC MOSFETの熱サイクル試験を行った。水平圧縮応力は熱サイクル試験後に増加した。圧縮応力の増加は温度条件に大きく依存し,サイクル試験の最大温度が増加すると圧縮応力は大きくなった。はんだとCu板を除去した試料から応力の増加は観察されなかった。この結果は,SiC MOSFETにおける熱応力を低減するためには,ダイ付着材料の改良が重要であることを示唆している。Raman分光法による定量的応力評価はデバイスの劣化過程の指標として使用できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  はんだ ,  最高気温 ,  FET【トランジスタ】 ,  半導体 ,  繰返し試験 ,  酸化物 ,  温度条件 ,  *熱サイクル ,  熱応力 ,  圧縮応力 ,  付着 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 銅板 ,  熱サイクル試験 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Raman分光法 ,  SiCパワーデバイス ,  熱サイクル ,  応力 ,  評価