文献

J-GLOBAL ID：201802281030039439   整理番号：18A2063424

(BEDT-TTF)_2X_3(X=I,Cl,Br,F)ベース電荷移動塩における化学歪誘起傾斜Diracノード【JST・京大機械翻訳】

Chemical-Strain Induced Tilted Dirac Nodes in (BEDT-TTF)₂X₃ (X = I, Cl, Br, F) Based Charge-Transfer Salts

著者 (3件)： Geilhufe R. Matthias (Nordita, KTH Royal Institute of Technology and Stockholm University, Roslagstullsbacken 23, SE-106 91 Stockholm, Sweden) ,  Commeau Benjamin (University of Connecticut, 2152 Hillside Road, U-3046 Storrs, CT, 06269-3046, USA) ,  Fernando Gayanath W. (University of Connecticut, 2152 Hillside Road, U-3046 Storrs, CT, 06269-3046, USA)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 11  ページ： e1800081  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい多機能性Dirac材料の同定は,進行中の努力である。この結合において,擬二次元(BEDT-TTF)ベースの電荷移動塩が広く議論されている。ここでは,ハロゲン臭素,塩素,およびフッ素によるヨウ素の仮想置換下でのα-(BEDT-TTF)_2I_3およびκ-(BEDT-TTF)_2I_3の電子構造について報告する。アニオン層のサイズの減少は,(BEDT-TTF)_2F_3の場合に著しく増加する化学歪の適用に対応する。密度汎関数理論の枠内で構造最適化と電子構造計算を行い,最初に,最近開発された強く制約され,適切に正規化された半局所密度汎関数SCANと,二番目に,DDSC分散補正法によりPBE交換相関汎関数へのvan der Waals補正を行った。α-(BEDT-TTF)_2F_3の場合,準二次元Brillouin帯内の過剰傾斜Dirac型IIノードの形成を見出すことができた。κ-(BEDT-TTF)_2F_3に対して,電子バンド構造内の最近報告されたトポロジー転移は明らかにできない。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塩素 ,  密度汎関数法 ,  アニオン ,  *電荷移動 ,  ハロゲン ,  構造最適化 ,  汎関数 ,  位相幾何学 ,  臭素 ,  正規化 ,  Brillouin帯 ,  ヨウ素 ,  フッ素 ,  電子構造
準シソーラス用語： 擬二次元 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BEDT-TTF ,  電荷移動塩 ,  化学的歪 ,  Dirac材料 ,  DiracタイプII ,  傾斜Dirac

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (9件)： BEDT-TTF ,  Cl ,  Br ,  電荷移動 ,  塩 ,  化学 ,  歪 ,  誘起 ,  Diracノード