文献
J-GLOBAL ID:201802281034793367   整理番号:18A2003749

経静脈鉛除去を受けた心血管植込み型電子デバイス感染患者における脳卒中【JST・京大機械翻訳】

Stroke in patients with cardiovascular implantable electronic device infection undergoing transvenous lead removal
著者 (23件):
資料名:
巻: 15  号: 11  ページ: 1593-1600  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3164A  ISSN: 1547-5271  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
脳卒中は,心血管移植可能な電子装置(CIED)感染患者における壊滅的な合併症である可能性がある。逆説的敗血症性塞栓症は,経静脈的鉛除去(TLR)中の塞栓性脱落を介して,デバイスリードと開存孔ov孔(PFO)の存在下で発生する可能性がある。本研究の目的は,CIED感染に対するTLRを受けている患者における脳卒中とその関連因子を調べることであった。2000年1月1日から2017年7月30日までのCIED感染に対するTLRを受けているすべての患者の後向き分析を,Mayo Clinic(Rochester,Phoenix,およびJacksonville)の3つの3つの第3のすべてのセンターから行った。一次転帰は脳卒中であり,さらに術前および術後脳卒中に分類された。関連危険因子を分析した。合計774人の患者(平均年齢67.6±14.9歳)は,CIED感染のためにTLRを受けた。このコホートにおける脳卒中率は1.9%(95%信頼区間[CI]1.1%~3.2%)であった。術前および術後脳卒中率は,それぞれ0.9%(95%CI0.4%-1.9%)および1.0%(95%CI0.4%-2.0%)であった。PFOSは脳卒中患者の46.7%,脳卒中のない患者の12.9%で同定され,脳卒中と独立して関連していた(P=.0002)。これは,特に右-左シャント(オッズ比6.4;95%CI1.3-31.0;P=.022)を有する右側の植生を有する患者において特にそうであった。TLRを受けているCIED感染患者において,PFOの存在は,特に右から左へのシャントを伴う右側の植生により,脳卒中のリスクの増加と関連していた。この知見は,TLRの前のPFOスクリーニングが慎重な注意を必要とすることを示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
神経系の疾患  ,  循環系の疾患 

前のページに戻る