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J-GLOBAL ID:201802281181921262   整理番号:18A0235731

半導性カーボンナノチューブホストにおける蛍光性量子欠損の光化学的生成【Powered by NICT】

Photochemical Creation of Fluorescent Quantum Defects in Semiconducting Carbon Nanotube Hosts
著者 (4件):
資料名:
巻: 130  号:ページ: 656-661  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0396A  ISSN: 0044-8249  CODEN: ANCEAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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量子欠損は近赤外イメージング,化学センシング,材料工学,量子情報処理のための大きな可能性を保持していることを合成単一光子エミッタの新たなクラスである。,光化学反応による半導性単層カーボンナノチューブホストにおける分子的に調節可能な蛍光量子欠陥の合成生成を直接光学的に可能であることを示す。電子遷移に共鳴する光によるホスト半導体を励起することによって,著者らはハロゲン化物含有アリール基はsp~2炭素格子に共有結合できることを見出した。導入された量子欠損はin situ反応進行の追跡を可能にする明るい光ルミネセンスを発生させた。反応は温度に依存しないが,反応を駆動するために使用されている光子エネルギーと強く相関し,光熱効果よりもむしろ光化学機構を示唆した。型光化学反応のは光を用いて蛍光量子欠陥の合成を制御する可能性を開き,電子と分子精度で量子エミッタのリソグラフィーパターン形成を可能にする。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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