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J-GLOBAL ID：201802281266167971   整理番号：18A1028539

TF-VLS成長InP太陽電池におけるV_OC劣化【JST・京大機械翻訳】

V_oc degradation in TF-VLS grown InP solar cells

著者 (7件)： Sun Yubo (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907, U.S.A.) ,  Sun Xingshu (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907, U.S.A.) ,  Johnston Steve (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80401, U.S.A.) ,  Sutter-Fella Carolin M. (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Hettick Mark (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Javey Ali (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Bermel Peter (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907, U.S.A.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,薄膜蒸気-液体-固体(TF-VLS)成長p型InP光起電力電池で観測された開回路電圧(Voc)劣化を説明する2つの仮説を考察した。最初に,光ルミネセンス(PL)画像により捕獲されたVLS InPの表面不均一性に基づいて,バンドギャップ(Eg)狭まり効果を仮定した。PLデータを用いて,InP試料の表面を横切る空間分解活性Vocを推定した。このデータを有効なJscと組み合わせることにより,個々の単位セルのI-V特性の評価が可能になった。次に,H-SPICEダイオードコンパクトモデルを用いて,全サンプルのI-V特性を再現した。著者らは,TF-VLS成長したInP太陽電池のI-V性能に良く適合することを見出した。第二に,局所分流効果もVoc分解効果の代替説明として考慮した。さらに,PL画像データを使用し,小さな局所シャント抵抗を任意の基本単位セルに加えて,PL画像に見られる特定の暗点を表し,Voc劣化を試料中に発生させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  分流 ,  電流電圧特性 ,  画像 ,  光電池 ,  *太陽電池 ,  *リン化インジウム ,  不均一性 ,  バンドギャップ ,  薄膜
準シソーラス用語： シャント抵抗 ,  画像データ ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： VLS成長 ,  InP ,  太陽電池