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J-GLOBAL ID：201802281378740737   整理番号：18A0972185

低温成長GaAsにおける成長後アニーリングによるUrbachバンド尾部とバンド間デフェージング時間の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of the Urbach band tail and interband dephasing time with post-growth annealing in low-temperature-grown GaAs

著者 (5件)： Webber D. (Department of Physics and Atmospheric Science, Dalhousie University, Halifax, Nova Scotia B3H 4R2, Canada) ,  Liu X. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Dobrowolska M. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Furdyna J. K. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Hall K. C. (Department of Physics and Atmospheric Science, Dalhousie University, Halifax, Nova Scotia B3H 4R2, Canada)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 4  ページ： 045121-045121-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長後のアニーリング温度の範囲に対する低温成長(LT-)GaAs上のフェムト秒四光波混合実験により,Urbachバンド尾部はAsクラスタへのAs関連点欠陥の変換により550°C以上で急激に減少し,バンド間デフェージング時間は550°C以下のアニーリング温度でAs点欠陥をもつ散乱により制限されることを示した。さらに,550°C以下のアニーリング温度に対して,励起子とUrbachバンド尾部に関連する偏光ソース項の複雑な相互作用を観測した。これらの実験により,LT-GaAsのキャリア動力学と超高速非線形光学特性を明らかにした。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 励起子 ,  四光波混合 ,  点欠陥 ,  フェムト秒 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ素 ,  クラスタ ,  *焼なまし ,  相互作用 ,  偏光
準シソーラス用語： 非線形光学特性 ,  超高速 ,  キャリア動力学 ,  アニーリング温度 ,  *低温成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温成長 ,  GaAs ,  成長 ,  アニーリング ,  バンド ,  尾部 ,  デフェージング時間