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J-GLOBAL ID：201802282014393219   整理番号：18A1248236

全固体薄膜電池を用いたLiNi_0.45Mn_1.485Cr_0.05O_4薄膜のその場電子伝導率測定【JST・京大機械翻訳】

In-situ electronic conductivity measurements of LiNi_0.45Mn_1.485Cr_0.05O₄ thin films using all-solid-state thin-film batteries

著者 (4件)： Sato Morihiro (Department of Materials Design Innovation Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 4648603, Japan) ,  Yamamoto Takayuki (Department of Materials Design Innovation Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 4648603, Japan) ,  Motoyama Munekazu (Department of Materials Design Innovation Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 4648603, Japan) ,  Iriyama Yasutoshi (Department of Materials Design Innovation Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 4648603, Japan)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 87  ページ： 31-34  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.5~4.9V(対Li金属アノード)の間のLiNi_0.45Mn_1.485Cr_0.05O_4薄膜(LNM-Cr:40nm厚さ)の全電子伝導率(σ_e~合計)を,交差指アレイ(IDA)電極上に作製した全固体薄膜電池(Li/LiPON/LN/LNM-Cr)を用いて測定した。不規則なスピネル相を有するLNM-Crを,IDA電極上にパルスレーザ蒸着によって調製した。σ_eは電圧に依存し,リチウム抽出/挿入過程に関係なく可逆的に変化した。σ_eの変化傾向は,化学的に脱リチオ化した粉末材料を用いた以前の報告と良く一致した。結晶粒界抵抗は,結晶粒界における二重Schottky障壁の形成のために,電圧に依存してσ_e全体に寄与する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピネル ,  粒状材 ,  Schottky障壁 ,  結晶粒界 ,  パルスレーザ蒸着 ,  充電 ,  *リチウム ,  *薄膜 ,  リチウム電池 ,  電圧 ,  アノード ,  脱リチオ化 ,  *電子伝導率 ,  *薄膜電池 ,  *全固体

著者キーワード (3件)： 全固体充電可能リチウム電池 ,  電子伝導率 ,  粒界

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 全固体 ,  薄膜電池 ,  薄膜 ,  電子伝導率