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J-GLOBAL ID:201802282103280645   整理番号:18A1200571

汎用SERS応用のための半導体ZnOナノ構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Semiconductor ZnO Nanostructures for Versatile SERS Application
著者 (11件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 398  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7252A  ISSN: 2079-4991  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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1970年代における表面増強Raman散乱(SERS)の初期発見以来,それは優れた利点により多くの分野で大きな潜在的応用を示した。超高感度貴金属ナノ構造は,応用中にいくつかの問題があるので,ますます曝露されているので,半導体は,貴金属と比較すると,それらの独特の利点により,重要なSERS基板材料の一つとして徐々に利用されてきた。ZnOは,特別な物理的および化学的性質だけでなく,豊富な貯蔵,様々で費用対効果の高い製造技術を有する最も代表的な金属酸化物半導体の一つである。種々の形態,サイズ依存性励起子,良好な化学安定性,調整可能なバンドギャップ,キャリア濃度,および化学量論により,ZnOナノ構造はSERS基板として利用できる可能性がある。さらに,生体適合性,光触媒および自己洗浄,およびガスおよび化学感度のようなZnOによって所有される他の独特の特性は,相乗的に統合され,ZnO基板の多機能性ポテンシャルを実現するためにSERS活性を発揮することができる。本レビューでは,SERS基板としての可能性のある半導体ZnOを利用する必然的な開発動向について議論する。貴金属の増強因子(EF)とZnOナノ構造の増強因子(EF)の間の大きな不一致の根本原因を明らかにした後,ZnOのSERS活性,すなわち元素ドーピングと貴金属とZnOの組合せを改善するための二つの特異的方法を提唱した。次に,SERS基板としてZnOの明確な利点を紹介し,意味のある平均EFを報告する必要性を例証した。また,種々の寸法(0~3次元)のZnOナノ構造に対するいくつかの作製方法を要約した。最後に,汎用SERS応用のためのZnOナノ構造の概観を示した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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赤外・Raman・Rayleighスペクトル一般(分子)  ,  固体プラズマ  ,  赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  ,  分析機器  ,  無機化合物一般及び元素 
引用文献 (130件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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