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J-GLOBAL ID：201802282217148145   整理番号：18A2052353

スピントロニクス応用に向けたCr₂O₃薄膜の反強磁性磁区の磁気電気制御

Magnetoelectric Control of Antiferromagnetic Domain of Cr₂O₃ Thin Film Toward Spintronic Application

著者 (3件)： Shiratsuchi Y. (Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Nguyen T. V. A. (Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Nakatani R. (Graduate School of Engineering, Osaka University)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan (Web)  (Journal of the Magnetics Society of Japan (Web))
巻： 42  号： 6  ページ： 119-126(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0776A  ISSN： 1882-2932  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cr₂O₃は磁気電気反強磁性体であり,その反強磁性磁区状態は磁場と電場の同時印加により制御可能である。2000年代において,Cr₂O₃における磁気電気効果の発見後,50年以上後に,この効果を工学応用に適用する努力が始まった。本論文では,特に全薄膜系における,反強磁性磁区状態の磁気電気制御とCr₂O₃の関連現象,応用における必須の段階について最近の進歩をレビューした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  *酸化クロム ,  *磁性薄膜 ,  磁気電気効果 ,  *反強磁性体 ,  *磁区 ,  電場効果 ,  磁場効果 ,  *制御
準シソーラス用語： *磁気電気制御

著者キーワード (8件)： 磁気電気効果 ,  反強磁性領域 ,  Cr_2O_3 ,  薄膜 ,  磁気電気効果 ,  反強磁性領域 ,  Cr_2O_3 ,  薄膜

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (52件)：

• 1) P. Curie: J. Phys. (Paris), 3, 393 (1894).
• 2) A. Perrier: Arch. Sci. Phys. Nat., 4, 369 (1922).
• 3) A. Perrier and A. J. Starling: Arch. Sci. Phys. Nat., 4, 373 (1922), ibid, 5, 333 (1923).
• 4) A. Perrier and C. E. Borel: Arch. Sci. Phys. Nat., 7, 289 (1925).
• 5) A. Piccard: Arch. Sci. Phys. Nat., 6, 404 (1924).

タイトルに関連する用語 (8件)： スピントロニクス ,  応用 ,  Cr2O3 ,  薄膜 ,  反強磁性 ,  磁区 ,  磁気 ,  電気制御