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J-GLOBAL ID：201802282226426381   整理番号：18A1770326

大ページフラッシュメモリ記憶装置の寿命を高めるための書込増幅の最小化【JST・京大機械翻訳】

Minimizing Write Amplification to Enhance Lifetime of Large-page Flash-Memory Storage Devices

著者 (5件)： Wang Wei-Lin (Department of Computer Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Tseng-Yi (Institute of Information Science, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Chang Yuan-Hao (Institute of Information Science, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Wei Hsin-Wen (Department of Electrical and Computer Engineering, Tamkang University, New Taipei City, Taiwan) ,  Shih Wei-Kuan (Department of Computer Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DAC  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュチップの耐久性の低下により,フラッシュドライブの寿命は重要な問題になった。この問題を解決するために,フラッシュ記憶装置のビット誤り率を低減するために,ウェアラリングおよび誤り訂正符号のような様々な技術が提案されている。これらの技術と対照的に,書込み増幅を最小化することは,フラッシュ記憶装置の寿命を高めるためのもう一つの有望な方向であることを観察した。しかしながら,大ページフラッシュメモリの開発動向は書込み増幅問題を悪化させる。本研究では,フラッシュページにおける圧縮データ更新と内部フラグメンテーションを扱うための圧縮ベースの管理設計を提示した。従って,データ削減技術の支援によりフラッシュページの修正部分を更新するだけで書込み増幅を最小化できる。そして,減少した書込み増幅度は,フラッシュページサイズが開発傾向のためにより大きくなるとき,より重要である。この設計は,摩耗レベリングと誤差補正技術に直交し,従って,フラッシュ装置の寿命をさらに向上させるためにそれらと協調することができる。一連の実験に基づいて,結果は,提案した設計が,書込み増幅を低減することにより,フラッシュ記憶装置の寿命を効果的に改善できることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  摩耗 ,  誤り訂正 ,  レベリング ,  耐久性 ,  フラグメンテーション ,  誤り訂正符号 ,  *フラッシュメモリ
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  開発動向 ,  増幅率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： NMR一般  (BM07041R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (7件)： ページ ,  フラッシュメモリ ,  記憶装置 ,  寿命 ,  書込 ,  増幅 ,  最小化