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J-GLOBAL ID：201802282248278590   整理番号：18A0190822

627GHzの遮断周波数を持つGaN平面Schottky障壁ダイオード【Powered by NICT】

GaN planar schottky barrier diode with cut-off frequency of 627 GHz

著者 (6件)： An Ning (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China) ,  Li Qian (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China) ,  Zeng Jianping (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China) ,  Jiang Jun (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China) ,  Lu Bin (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China) ,  Tan Wei (Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics No.596, Yinhe Road, Chengdu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SSLChina: IFWS  ページ： 204-206  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN Schottky障壁ダイオード(SBD)は高温,高出力と高周波数応用のための大きな可能性を示した。設計を示し,寄生パラメータを低減する空気工技術と電気めっき技術を用いたGaN平面SBDの作製と測定。0.15Ω・mmのOhm接触抵抗は,Ti/Al/Ti/Au金属積層よりも約40%低く,Ti/Al/Ni/Au金属スタックで得られた。また,HCl+HFを用いたN+GaN表面の化学処理したBOEよりも良好であることが分かった。様々なアノード直径(3-7μm)をもつデバイスを同一チップ上に作製した。作製したGaN SBDダイオードは,DCでI-VおよびC-V測定によって特性化した。オンウエハ小信号Sパラメータ測定を50GHzまで行った。627GHzのカットオフ周波数(f_c)は7μm陽極直径をもつGaN平面SBDで達成された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *遮断周波数 ,  *窒化ガリウム ,  塩酸 ,  キャラクタリゼーション ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電気めっき ,  *ダイオード ,  高温 ,  Ohm接触 ,  HF【周波数】 ,  アノード
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  化学処理 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遮断周波数 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード