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J-GLOBAL ID：201802282344285177   整理番号：18A0228690

InAsナノワイヤにおける並列結合量子ドット

Parallel-Coupled Quantum Dots in InAs Nanowires

著者 (6件)： NILSSON Malin (Lund Univ., Lund, SWE) ,  CHEN I-Ju (Lund Univ., Lund, SWE) ,  LEHMANN Sebastian (Lund Univ., Lund, SWE) ,  MAULEROVA Vendula (Lund Univ., Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  THELANDER Claes (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 12  ページ： 7847-7852  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOVPE法を用いて,InAsナノワイヤ(径60~80nm)の閃亜鉛鉱(ZB)型結晶中に,上下のウルツ鉱型(WZ)トンネル障壁(20~30nm長)およびこれにサンドイッチされたZB型の二重量子ドット(DQD)(3~7nm長)のナノディスクを形成した。DQDに対して基板,ソース,ドレインおよび左右のゲート電極(L,R)を設置し,V_RおよびV_Lに対して,スピン縮退および量子閉じ込めによる明瞭で安定な偶奇準位の生成を確認した。高い障壁および単一粒子励起エネルギーに起因して,粒子間結合の同調が可能であった。

シソーラス用語： 並列化 ,  *量子ドット ,  結晶構造 ,  *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  MOCVD ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *ポテンシャル障壁 ,  ナノ構造 ,  ゲート【半導体】 ,  縮退 ,  *量子閉込め ,  *偶奇効果 ,  励起エネルギー ,  静電相互作用 ,  同調 ,  サンドイッチ構造 ,  電場効果 ,  相互コンダクタンス ,  ファセット ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *結晶成長
準シソーラス用語： ウルツ鉱型構造 ,  *トンネル障壁 ,  ナノディスク ,  バックゲート ,  人工分子 ,  閃亜鉛鉱型構造 ,  *半導体ナノワイヤ ,  *半導体量子ドット ,  粒子間相互作用 ,  *量子ドット分子 ,  量子縮退

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： InAs ,  ナノワイヤ ,  結合量子ドット