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文献
J-GLOBAL ID:201802282369927696   整理番号:18A0621874

高分子ベース有機電界効果トランジスタにおけるスイッチング特性に及ぼすドーピングと枯渇の意義【Powered by NICT】

Implications of doping and depletion on the switching characteristics in polymer-based organic field-effect transistors
著者 (8件):
資料名:
巻: 56  ページ: 152-158  発行年: 2018年
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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アルミニウム(Al)被覆により形成された7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(TCNQ)と空乏層をドープしたポリ(3 ヘキシルチオフェン)(P3HT)から成る高分子ベース有機電界効果トランジスタ(OFET)の電子特性を調整するための効果的な方法を報告した。P3HTのドーピングを用いて,キャリア濃度を蓄積し,調整した空乏層の実施は,チャンネルコンダクタンスを減少させた。OFETのオン電流は,P3HTの0%から20%にTCNQドーピングの程度と強化されたことを実証した。超薄の導入によりAlを,サブしきい値特性の改善と共にオフ状態電流の減少さらにが空乏領域が形成された。これら二つの方法は空乏,OFET有機エレクトロニクスのためのドーピング技術の可能性を示しているスイッチング性能を促進するによるドーピングとオフ状態特性によるオン状態特性の項における対効果を提供した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  高分子固体の物理的性質 
物質索引 (1件):
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タイトルに関連する用語 (5件):
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