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J-GLOBAL ID：201802282369927696   整理番号：18A0621874

高分子ベース有機電界効果トランジスタにおけるスイッチング特性に及ぼすドーピングと枯渇の意義【Powered by NICT】

Implications of doping and depletion on the switching characteristics in polymer-based organic field-effect transistors

著者 (8件)： Tiwari Shashi (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, 221005, India) ,  Pandey Manish (Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu, Kitakyushu, 808-0196, Japan) ,  Takashima Wataru (Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu, Kitakyushu, 808-0196, Japan) ,  Nagamatsu Shuichi (Department of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka, 820-8502, Japan) ,  Balasubramanian S.K. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, 221005, India) ,  Hayase Shuzi (Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu, Kitakyushu, 808-0196, Japan) ,  Pandey Shyam S. (Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu, Kitakyushu, 808-0196, Japan) ,  Prakash Rajiv (School of Materials Science and Technology, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, 221005, India)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 56  ページ： 152-158  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)被覆により形成された7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(TCNQ)と空乏層をドープしたポリ(3 ヘキシルチオフェン)(P3HT)から成る高分子ベース有機電界効果トランジスタ(OFET)の電子特性を調整するための効果的な方法を報告した。P3HTのドーピングを用いて,キャリア濃度を蓄積し,調整した空乏層の実施は,チャンネルコンダクタンスを減少させた。OFETのオン電流は,P3HTの0%から20%にTCNQドーピングの程度と強化されたことを実証した。超薄の導入によりAlを,サブしきい値特性の改善と共にオフ状態電流の減少さらにが空乏領域が形成された。これら二つの方法は空乏,OFET有機エレクトロニクスのためのドーピング技術の可能性を示しているスイッチング性能を促進するによるドーピングとオフ状態特性によるオン状態特性の項における対効果を提供した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *高分子 ,  電流 ,  空乏層 ,  キャリア密度 ,  アルミニウム ,  *ドーピング ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物
準シソーラス用語： オン状態 ,  有機エレクトロニクス ,  空乏領域 ,  オフ状態 ,  サブ閾値 ,  *スイッチング特性 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界効果トランジスタ ,  TCNQドーピング ,  空乏層 ,  P3HT

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： TCNQ

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  有機電界効果トランジスタ ,  スイッチング特性 ,  ドーピング ,  枯渇