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J-GLOBAL ID：201802282608125714   整理番号：18A0860806

ゲート,モールおよびBEOL誘電体の電気的破壊の統計の記述としてのパーコレーション欠陥の核形成と成長【JST・京大機械翻訳】

Percolation defect nucleation and growth as a description of the statistics of electrical breakdown for gate, MOL and BEOL dielectrics

著者 (3件)： Ong Yi Ching (TSMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Shou-Chung (TSMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Oates A. S. (TSMC, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： P-GD.7-1-P-GD.7-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 進歩したSi技術で使用されるゲート,中間線(MOL)およびバックエンドライン(BEOL)誘電体は,局所的パーコレーション欠陥の形成(核形成)および成長を含む破壊の一般的な機構を示すことを示した。したがって,産業標準信頼性評価は,回路応用における誘電体信頼性を著しく過小評価する可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パーコレーション ,  応用回路 ,  *誘電体 ,  信頼性 ,  ケイ素 ,  *核形成
準シソーラス用語： 過小評価 ,  信頼性評価 ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (11件)： ゲート ,  モール ,  BEOL ,  誘電体 ,  破壊 ,  統計 ,  記述 ,  パーコレーション ,  欠陥 ,  核形成 ,  成長