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J-GLOBAL ID：201802282751113000   整理番号：18A0242480

弱い層間結合を持つ積層二重層MoS_2【Powered by NICT】

Laminated bilayer MoS₂ with weak interlayer coupling

著者 (5件)： Zhou Wenda (Jiangxi Key Laboratory of Nanomaterials and Sensors, School of Physics, Communication and Electronics, Jiangxi Normal University, 99 Ziyang Avenue, Nanchang 330022, Jiangxi, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Yuan Cailei ,  Hong Aijun ,  Luo Xingfang ,  Lei Wen
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 3  ページ： 1145-1152  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積層二重層MoS_2構造はvan der Waals相互作用によって共に保持された真の積層構造の形成を防止できる二個の個々のMoS_2層の間にトラップされたMoS_2ナノ粒子を調製した。積層二重層MoS_2は隣接層の間の減少したvan der Waals相互作用と弱い層間結合を明確に示している。層間結合はMoS_2のバンド構造を変えるには不十分であるので,積層二分子層MoS_2は分離した単分子層の直接バンドギャップ構造を保持することができる。間にトラップされたMoS_2ナノ粒子のサイズを制御することにより,二重層MoS_2構造の層間距離と層間結合は広い範囲で操作し,異なるバンドギャップ挙動が得られた。この知見は,バンドギャップ設計二重層MoS_2構造,多層MoS_2ベースp-n接合とhomo/hetero構造を行うことを予定して重要な段階である,先端電子デバイス,特に光電子デバイスを作製するための有効な方法を提供するので非常に重要である。この方法によれば,二重層MoS_2構造でなく,他の層構造二次元材料に適用した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  積層構造 ,  二分子層 ,  ナノ粒子 ,  層間隔 ,  単分子層 ,  接合
準シソーラス用語： 二次元材料 ,  層構造 ,  光電子デバイス ,  電子素子 ,  直接バンドギャップ ,  二層 ,  *二重層 ,  *層間結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 層間結合 ,  二重層