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J-GLOBAL ID：201802282818803361   整理番号：18A0431947

強磁性/フェリ磁性エピタキシャル界面の形成:安定性と磁気的性質【Powered by NICT】

Formation of ferromagnetic/ferrimagnetic epitaxial interfaces: Stability and magnetic properties

著者 (2件)： Guerrero-Sanchez J. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Apartado Postal 14, Ensenada, Baja California Codigo Postal 22800, Mexico) ,  Takeuchi Noboru (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Apartado Postal 14, Ensenada, Baja California Codigo Postal 22800, Mexico)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 144  ページ： 294-303  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン分極第一原理計算を用いてエピタキシャル強磁性/フェリ磁性MnGa(001)/Mn_4N(001)ヘテロ構造の形成を研究した。特に,N含有量の関数としての表面と界面の安定性を解析した。Mn_4N(001)は(1 × 1)周期性をもつ二つの安定な表面終端を持っているので,MnGaを成長させる基板として用いた。界面形成エネルギー形式は,提案したすべてのモデルの安定性を記述するために適用した。著者らの計算は,界面でのMnがエネルギー的に有利であることを示した。MnGa表面の安定性を,直接窒素依存性を示した。特に,余分なNを使用しないで,Ga終端表面は,両基質に対する化学ポテンシャルの全範囲で安定であった。Nは表面に添加すると,MnN終端表面は,化学ポテンシャルの異なる範囲の両基質において安定になった。MnGaとMn_4Nは反強磁性材料ではないが,それらは界面での局所反強磁性配置を形成する。熱力学的に安定なシステムは,新世代のスピントロニクスデバイスの構築に適用できる可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基質 ,  *エピタクシー ,  化学ポテンシャル ,  *フェリ磁性 ,  スピン分極 ,  ガリウム ,  *界面 ,  反強磁性 ,  マンガン ,  *磁気的性質 ,  *強磁性 ,  計算 ,  熱力学
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  ヘテロ構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 界面形成エネルギー ,  安定性 ,  N含有量 ,  反強磁性配列

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁性 ,  フェリ磁性 ,  エピタキシャル ,  界面 ,  安定性 ,  磁気的性質