文献

J-GLOBAL ID：201802282825352273   整理番号：18A0165916

大きな密度STT-MRAMのための重金属/CoFeBの界面性質の調整【Powered by NICT】

Interfacial property tuning of heavy metal/CoFeB for large density STT-MRAM

著者 (14件)： Cai Wenlong (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Cao Kaihua (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Wang Mengxing (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Peng Shouzhong (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Zhou Jiaqi (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Cao Anni (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Zhang Boyu (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Wang Lezhi (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Zhang Yu (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Wei Jiaqi (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  He Xiaobin (Insititute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 100029, P.R. China) ,  Cui Hushan (Insititute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 100029, P.R. China) ,  Zhao Chao (School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, 100191, P.R. China) ,  Zhao Weisheng (Fert Beijing Institute, BDBC, Beihang University, 100191, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NVMTS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO/CoFeB構造に基づく垂直磁気トンネル接合(MTJ)を,スピン移動トルク磁気ランダムアクセスメモリ(STT MRAMs)に対し特別な興味がある。しかし,高い熱安定性と低いSTTスイッチング臨界電流密度の大きなトンネル磁気抵抗比(TMR)と低接合抵抗,強い界面垂直磁気異方性(PMA)の両方を組み合わせることの主要な課題はまだ満たさなければならない。本論文では,PMA,TMRとGilbert減衰のようないくつかの主要なスピントロニクス効果にキャッピング層の適切性の研究における最近の進歩を示した。予測と重金属/CoFeBの界面特性の調整による性能最適化を実験的に証明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  臨界電流密度 ,  垂直磁気異方性 ,  スイッチング ,  スピントロニクス ,  *界面 ,  熱安定性 ,  *重金属
準シソーラス用語： 界面特性 ,  キャップ層 ,  Gilbertダンピング ,  接合抵抗 ,  トンネル磁気抵抗 ,  スピントルク ,  磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 密度 ,  STT-MRAM ,  重金属 ,  界面 ,  性質